Toshiba udvider IGBT familien
600V, 50A komponenter til strømresonant inverter-switching kombinerer IGBT og reverse recovery diode i een kompakt kapsling
Toshiba Electronics Europe (TEE) lancerer to nye medlemmer i famlien af kompakte og integrerede IGBT’er til induktionsvarmeformål og lignende strømresonante inverter-switching applikationer. Som i de tidligere modeller kombinerer 600V, 50A GT50JR21- og GT50JR22-typerne en IGBT og en reverse recovery freewheeling diode i een samlet monolitisk komponent.De nye komponenter er ideelle til komfurer, og de leveres i TO-3P(N), TO247-ækvivalente kapslinger med en høj maksimal junction-temperatur på 175ºC. Maximal nominel strøm er 50A for begge komponenter, medens den typiske mætningsspænding (ved IC = 50A) kun er 1,5V for GT50JR21 og 1,65V for GT50JR22.
Toshibas GT50JR21 og GT50JR22 IGBT’er er baseret på virksomhedens egen enhancement mode halvlederteknologi, der også er optimeret til udtalt high-speed switching. Typisk IGBT turn-on tid (ton) og turn-off tid (toff) med en collector-strøm på 50A er kun 0,26µs og 0,31µs samt 0,25µs og 0,37µs respektivt. GT50JR21 er velegnet til lavfrekvent switching, og GT50JR22 egner sig især til højfrekvent switching.
Collector-effektafsættelsen for hver IGBT er 230W ved 25ºC.
