Nye HEXFET MOSFETs
IR introducerer nye 20 V, 25 V og 30 V MOSFETs i PQFN-pakning til OR-ing- og motordrevne applikationer.
International Rectifier (IR) har lanceret en nye familie af HEXFET power MOSFETs, inkl. en 20 V IRFH6200TRPbF kreds, der har industriens laveste on-state modstand (RDS(on)). De nye power MOSFETs er baseret på IR’s nyeste siliciumteknologi og er firmaets første kredse, der fås i en 5 x 6 mm PQFN-pakning med optimeret kobberklemme og lodde-die.
Den nye 20 V IRFH6200TRPbF MOSFET-kreds udmærker sig ved at have en industriførende RDS(on) modstand på blot 1,2 mOhm (max.) ved en Vgs spænding på 4,5 V med henblik på at nedskære ledetabene markant i DC-motordrevne applikationer som f.eks. håndværktøjer.
De nye 25 V IRFH5250TRPbF og 30 V IRFH53xxTRPbF MOSFET-kredse er designet til DC switch-applikationer som f.eks. aktiv OR-ing og DC-motordrevne applikationer, der kræver power MOSFETs med en høj strømhåndteringsevne og en høj effektivitet. IRFH5250TRPbF har en ultra lav RDS(on) modstand på 1,15 mOhm (max.) kombineret med en gateladning (Qg) på blot 52 nC, mens IRFH5300TRPbF har en RDS(on) modstand på blot 1,4 mOhm (max.) kombineret med en gateladning (Qg) på 50 nC.
Foruden at give en fremragende termisk ydeevne resulterer anvendelsen af de nye IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF og IRFH53xxTRPbF kredse i, at det krævede boardareal og omkostningerne reduceres sammenlignet med eksisterende løsninger, da der kræves færre komponenter for et givent effekttab.
Alle de nye power MOSFET-kredse har en lav termisk modstand (<0,5°C/W), er kvalificeret til industriklasse og fugtfølsomhedsniveau 1 (MSL1) og er RoHS-compliant og indeholder derfor ikke bly, bromid eller halogen.
