MOSFETs til automotive applikationer
IR introducerer ny familie af robuste automotiv-kvalificerede MOSFETs, der er optimeret til en lav on-state modstand.
International Rectifier (IR) har introduceret firmaets første dedikerede familie af automotiv-kvalificerede MOSFETs til et bredt spektrum af applikationer, der kræver MOSFETs med en lav on-state modstand (RDS(on)) som f.eks. elektronisk servostyring (EPS), integreret startgenerator (ISA) pumpe- og motorkontrol, DC/DC-konvertering, batteri-switch og andre meget strømkrævende applikationer på intern forbrændingsmotor- (ICE) og hybridbil platforme.
De nye automotiv-kvalificerede MOSFET-kredse, der er baseret på IR’s gennemprøvede Gen 10.2 teknologi, har en meget lav on-state RDS(on) modstand på helt ned til max. 1,0 mOhm, og leveres i en lang række spændingsversioner fra 24 V til 100 V i mange forskellige SMD- og hulmonterbare pakninger. Flere af kredsene har en garanteret maksimum strømrating på op til 240 A i en D2Pak-7P pakning og 195 A i en D2Pakning.
IR’s automotive MOSFETs gennemgår en grundig dynamisk og statisk komponent gennemsnitstestning kombineret med en 100 procent automatiseret visuel inspektion på waferniveau som en del af IR’s automotive kvalitetsinitiativ, der sigter efter nul fejl.
En AEC-Q101 kvalifikation kræver, at der ikke er mere end en 20 procents ændring af transistorens RDS(on) modstand efter 1.000 temperaturtestcyklusser. Efter at have gennemgået IR’s udvidede temperaturtest, hvor kredsene blev udsat for 5.000 temperaturcyklusser, havde IR’s nye AU Bill-of-Materials (BOM) kredse imidlertid en maksimal RDS(on) modstandsændring på mindre end 10 procent, hvilket viser AU BoM kredsenes store styrke og robusthed.
