MOSFETs med dobbeltsidet køling
Toshiba udvider familien af højeffektive MOSFETs med 30V- og 60V-komponenter, der kan operere med dobbeltsidet køling.
Toshiba Electronics Europe (TEE) udvider sin familie af ultrahøjeffektive, lavvolt MOSFETs med nye 30V- og 60V-komponenter. Alle komponenter kan leveres i ultrakompakte, termisk effektive DSOP Advance kapslingsoptioner, der i høj grad forbedrer varmeafsættelsen gennem en dobbeltsidet køling.
De nye N-kanal MOSFET udgøres af een 30V- og én 60V-komponent, som begge er baseret på Toshibas næste generation af U-MOS IX-H trench halvlederprocessen. Denne proces er designet til at give 'klasseledende' effektivitet over et bredt udsnit af belastningstilstande ved at minimere on-modstanden (RDS(ON)) og forbedre switch-effektiviteten gennem en reduktion af gate-ladningen (QOSS).
MOSFET’erne kan hjælpe designere til at reducere tab og plads på printet i en række power management kredsløb som high-side og low-side switching i DC/DC-konvertere og synkron ensretning på sekundærsiden i AC/DC-designs. Teknolgien er også ideel til motorstyring og til beskyttelseskredsløb i elektronisk udstyr baseret på lithium-ion (Li-ion) batterier.
Ved en spænding (VGS) på 10V er den maksimale RDS(ON) for en 30V MOSFET på kun 0,6mΩ, mens den typiske COSS er 2160pF. 60V-typen har en RDS(ON) og en typisk COSS på henholdsvis 1,3mΩ og 960pF. Det giver en forbedret fleksibilitet i optimeringen til en given applikation.
De to nye UMOS IX-H MOSFETs leveres i en lavprofil overflademonteret kapsling, DSOP Advance. Begge komponenter har et footprint på bare 5mm x 6mm. Ved at vælge DSOP Advance-løsningen kan man i høj grad reducere systemtempeaturen, hvad der gør det muligt at bruge mindre køleflader og eventuelt eliminere behovet for en køleplade helt og aldeles.
De nye MOSFETs vil fungere ved kanaltemperaturer op til 175°C.
