Første GaN powertrin

International Rectifier introducerer de første powertrin kredse, der er baseret på firmaets GaN-baserede teknologiplatform - GaNpowIR.

International Rectifier har netop introduceret industriens første familie af kommercielle integrerede powertrin produkter, der anvender IR’s banebrydende Gallium Nitrid (GaN) baserede powerkreds teknologiplatform. Den nye iP2010 og iP2011 familie af integrerede powertrin kredse er designet til multi-fase- og ’point-of-load’ (POL) applikationer, inkl. servere, routere, switche og general-purpose POL DC/DC-konvertere.

iP2010 og iP2011 integrerer en meget sofistikeret, ultra-hurtig PowIRtune driver-IC, der er matched med en multi-switch monolitisk GaN-baseret powerkreds. Disse kredse er monteret i en flip-chip pakningsplatform for at give en højere effektivitet og en mere end dobbelt så høj switchingfrekvens som dagens avancerede ’state-of-the-art’ siliciumbaserede integrerede powertrin kredse. 

- Introduktionen af denne familie af GaN-baserede powerkredse til DC/DC applikationer indvarsler en ny æra i højfrekvens, højdensitet og højeffektive powerkonverteringsløsninger, og bekræfter påny IR’s position i allerforreste linie i udviklingen af innovative powermanagement designs, siger Goran Stojcic, der er executive director for IR’s POL produkter, Enterprise Power Business Unit.

John Lambert, der er POL produktchef, tilføjer:
- Med en høj switchingfrekvens på op til 5 MHz sætter den nye iP201x familie designere i stand til at reducere værdien og den fysiske størrelse af outputkondensatorer og -induktorer markant i applikationer, hvor pladsen er i høj kurs. Kredsene kan også konfigureres til at operere ved en lavere switchingfrekvens i applikationer, der kræver den højest mulige effektivitet.

iP2010 har et inputspændingsområde på 7 V til 13,2 V og et outputspændingsområde på 0,6 V til 5,5 V med en outputstrømkapacitet på op til 30 A. Kredsen opererer med en switchingfrekvens på op til 3 MHz. Den pin-kompatible iP2011, der kan operere med switchingfrekvenser på op til 5 MHz, har det samme input- og outputspændingsområde som iP2010, men er optimeret til at kunne levere en outputstrøm på op til 20 A. Ved at tilbyde flere pin-kompatible kredse med forskellig strømrating i et fælles paknings-’footprint’, giver IR designere en større fleksibilitet til at imødekomme forskellige kundekrav med hensyn til strømniveau, ydeevne og kostpris.

iP2010 og iP2011 leveres i en LGA-pakning med et lille ‘footprint’, og begge kredse er optimeret til et meget lavt effekttab og er forsynet med en højeffektiv dobbeltsidet køling og er RoHS-compliant.